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SK60GAR125

更新时间： 2024-11-26 03:31:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 743K
描述
IGBT Module

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SK60GAR125 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.83其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：51 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：1端子数量：7
最高工作温度：150 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
VCEsat-Max：3.7 VBase Number Matches：1

SK60GAR125 数据手册

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SK60GAL125  
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1
01-06-2007 DIL  
© by SEMIKRON  
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