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SK60GB125

更新时间： 2024-11-26 03:31:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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IGBT Module

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SK60GB125 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5
针数：	10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.71
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	51 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	561 ns
标称接通时间 (ton)：	145 ns	Base Number Matches：	1

SK60GB125 数据手册

SK 60 GB 125

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Symbol Conditions

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IGBT Module

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SK 60 GB 125

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Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

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Target Data

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Features

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Inverse / Freewheeling CAL diode

Typical Applications

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06-04-2005 TUR

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SK60GM123_07	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
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SK60KH12F	SEMIKRON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 102.1A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, CASE

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