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SK60GM123

更新时间： 2024-02-10 20:10:31

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT Module

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SK60GM123 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CASE T 35, SEMITOP 2, 10 PIN	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-P10
元件数量：	2	端子数量：	10
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	345 ns	标称接通时间 (ton)：	85 ns
VCEsat-Max：	3 V	Base Number Matches：	1

SK60GM123 数据手册

SK 60 GM 123

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Characteristics

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与SK60GM123相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SK60GM123_07	SEMIKRON	IGBT Module	获取价格
SK60GM123_0706	SEMIKRON	IGBT Module	获取价格
SK60KH12F	SEMIKRON	Silicon Controlled Rectifier, 102.1A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, CASE	获取价格
SK60KL12F	SEMIKRON	Silicon Controlled Rectifier, 102.1A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, CASE	获取价格
SK60MD10	SEMIKRON	MOSFET Module	获取价格
SK610	MCC	6 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts	获取价格

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