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SK60MD10

更新时间: 2024-11-26 09:24:35
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
2页 416K
描述
MOSFET Module

SK60MD10 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X13
针数:13Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
Is Samacsys:N外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):80 A最大漏源导通电阻:0.0075 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-XUFM-X13
JESD-609代码:e2元件数量:6
端子数量:13工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):120 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

SK60MD10 数据手册

 浏览型号SK60MD10的Datasheet PDF文件第2页 
SK 60 MD 10  
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Absolute Maximum Ratings  
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Values  
Units  
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8
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SEMITOP 2  
 
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SK 60 MD 10  
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Target Data  
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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Typical Applications  
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Inverse diode  
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5> + -2 86  %: + /- .ꢁ6 A3 + -7 D  
2)G  
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0
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0>  
5> + 86 03# + 0  
5AA(  
Kꢏꢏ  
ꢑꢍꢈꢉꢏ ꢓꢂꢔꢔꢂꢐꢋꢍꢌ ꢆꢂꢍꢈꢋꢇꢋꢂꢍꢊF  
5> + 86  %: + .ꢁ  
8
Bꢁ  
ꢏꢏ  
0 + 86 ꢈꢋ?ꢈꢇ + 8?Bꢊ  
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Mechanical data  
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  ;C  
MD  
1
11-09-2003 SCT  
© by SEMIKRON  

与SK60MD10相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK610 MCC

获取价格

6 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts
SK610 SUNMATE

获取价格

6A Patch Schottky diode 100V SMC series
SK610B SUNMATE

获取价格

6A Patch Schottky diode 100V SMB series
SK610BF SUNMATE

获取价格

6A Patch Schottky diode 100V SMBF series
SK610C PACELEADER

获取价格

SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SK610L MCC

获取价格

6 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts
SK610L-T MCC

获取价格

Rectifier Diode,
SK610L-TP MCC

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS CO
SK610L-TP-HF MCC

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMC, 2
SK610P MCC

获取价格

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, SMCJ, 2