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SK60GB123

更新时间： 2024-02-18 13:15:50

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT Module

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SK60GB123 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	CASE T27, SEMITOP-10
针数：	10	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.8
Is Samacsys：	N	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	58 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X5
JESD-609代码：	e2	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	455 ns	标称接通时间 (ton)：	90 ns
Base Number Matches：	1

SK60GB123 数据手册

SK60GB123

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Features

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13-02-2007 DIL

12 3 4 5

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与SK60GB123相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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SK60GB125	SEMIKRON	IGBT Module	获取价格
SK60GB125_06	SEMIKRON	IGBT Module	获取价格
SK60GB125_07	SEMIKRON	IGBT Module	获取价格
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