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SK25GAL063

更新时间： 2024-11-05 04:04:35
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 425K
描述
IGBT Module

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SK25GAL063 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：CASE T3, SEMITOP 1, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.79
其他特性：UL RECOGNIZED外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：30 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X5
JESD-609代码：e2元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：225 ns标称接通时间 (ton)：65 ns
Base Number Matches：1

SK25GAL063 数据手册

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SK 25 GAL 063  
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SK 25 GAR 063  
SK 25 GAL 063  
Preliminary Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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GAL  
GAR  
1
02-05-2006 RAM  
© by SEMIKRON  
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