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SK25GH063

更新时间： 2024-11-04 22:43:11

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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IGBT Module

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SK25GH063 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.68	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	30 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X8	JESD-609代码：	e2
元件数量：	4	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	230 ns
标称接通时间 (ton)：	77 ns	VCEsat-Max：	2.6 V
Base Number Matches：	1

SK25GH063 数据手册

SK 25 GH 063

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Characteristics

Symbol Conditions

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19-10-2005 RAM

12 3 4

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SK25GH063 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SK15GH063	SEMIKRON	功能相似	IGBT Module

与SK25GH063相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SK25GH063_06	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK25GH063_07	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK25GH12T4	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES
SK25GP	MCC	获取价格	DIODE 2 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, SMBG, 2 PIN, Rectifier Diode
SK25-GT3	SENSITRON	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 50V V(RRM), Silicon, DO-214AA, LEAD FRE
SK25KQ	SEMIKRON	获取价格	Antiparallel Thyristor Module
SK25KQ_08	SEMIKRON	获取价格	Antiparallel Thyristor Module
SK25KQ08	SEMIKRON	获取价格	Antiparallel Thyristor Module
SK25KQ12	SEMIKRON	获取价格	Antiparallel Thyristor Module
SK25KQ16	SEMIKRON	获取价格	Antiparallel Thyristor Module

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