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SK25GD12T4ET

更新时间： 2024-11-05 09:24:47
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 839K
描述
IGBT Module

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SK25GD12T4ET 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PUFM-X15针数：19
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.63
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：37 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-PUFM-X15
元件数量：6端子数量：15
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：365.5 ns
标称接通时间 (ton)：41.5 nsVCEsat-Max：2.05 V
Base Number Matches：1

SK25GD12T4ET 数据手册

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SK25GD12T4ET  
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GD-ET  
1
27-05-2009 DIL  
© by SEMIKRON  
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与SK25GD12T4ET相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK25GD12T4ETE1 SEMIKRON

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