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SK25GD065ET

更新时间： 2024-01-26 09:54:43
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
4页 687K
描述
3-phase bridge inverter

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SK25GD065ET 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-P19
针数：19Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82其他特性：UL RECOGNIZED
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-P19
JESD-609代码：e3/e4元件数量：6
端子数量：19最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
参考标准：IEC-60747-1子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子面层：TIN/SILVER
端子形式：PIN/PEG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：265 ns
标称接通时间 (ton)：55 nsVCEsat-Max：2.5 V
Base Number Matches：1

SK25GD065ET 数据手册

 浏览型号SK25GD065ET的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK25GD065ET的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SK25GD065ET的Datasheet PDF文件第4页 
SK 25 GD 065 ET CONVERTER, INVERTER, BRAKE  
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3-phase bridge inverter  
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Characteristics  
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Symbol Conditions  
IGBT - Inverter, Chopper  
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GD - ET  
1
26-09-2006 SCT  
© by SEMIKRON  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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