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SK15BGD065ET

更新时间: 2024-09-17 04:04:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
2页 334K
描述
1-phase bridge rectifier

SK15BGD065ET 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PUFM-X19
针数:19Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.55外壳连接:ISOLATED
最大集电极电流 (IC):19 A集电极-发射极最大电压:600 V
配置:COMPLEXJESD-30 代码:R-PUFM-X19
JESD-609代码:e3/e4元件数量:6
端子数量:19最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:TIN/SILVER
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):430 ns
标称接通时间 (ton):85 nsBase Number Matches:1

SK15BGD065ET 数据手册

 浏览型号SK15BGD065ET的Datasheet PDF文件第2页 
SK 15 BGD 065 ET  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
IGBT - Inverter  
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566  
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2
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Diode - Inverter  
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SEMITOP 3  
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Rectifier  
1-phase bridge rectifier  
+3-phase bridge inverter  
2CC;  
766  
85  
2
(
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SK 15 BGD 065 ET  
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Target Data  
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Features  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
IGBT - Inverter  
min.  
typ.  
max. Units  
2ꢁ3ꢊꢅꢇ  
2'3ꢘꢇꢕ  
2ꢁ3ꢘ$ꢎ  
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819  
HD+  
Typical Applications  
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Diode rectifier  
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818  
617  
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2
2
2ꢘ$ꢎ  
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F
Temperatur sensor  
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Mechanical data  
;
;ꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢇꢂꢏNꢑꢉ  
"ꢃ  
BGD - ET  
1
13-04-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

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