是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X5 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.6 |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 150 A |
配置: | DARLINGTON, 3 TRANSISTORS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE): | 100 |
最大降落时间(tf): | 3000 ns | JESD-30 代码: | R-PUFM-X5 |
JESD-609代码: | e2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 功耗环境最大值: | 1000 W |
最大功率耗散 (Abs): | 1000 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | BIP General Purpose Power | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
最大关闭时间(toff): | 18000 ns | 最大开启时间(吨): | 3000 ns |
VCEsat-Max: | 2.5 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK150DA120D | SEMIKRON |
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Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 5 Pin | |
SK150DB060D | SEMIKRON |
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Power Bipolar Transistor, 150A I(C), 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 11 Pin | |
SK150DGL12T4TE1 | SEMIKRON |
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Bridge Rectifier Modules SEMITOP E1 (63x34x12) | |
SK150GB066T | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150GD066T | SEMIKRON |
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3-phase bridge inverter | |
SK150GD066T_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150GD066T_09 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150MB120CR03TE2 | SEMIKRON |
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SiC Modules SEMITOP E2 (63x57x12) | |
SK150MBL055T | SEMIKRON |
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Mosfet Module | |
SK150MHK055T | SEMIKRON |
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Mosfet Module |