是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X22 | 针数: | 22 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.7 | 外壳连接: | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC): | 137 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JESD-30 代码: | R-XUFM-X22 | 元件数量: | 6 |
端子数量: | 22 | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | VCEsat-Max: | 1.85 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SK150GD066T_07 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150GD066T_09 | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150MB120CR03TE2 | SEMIKRON |
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SiC Modules SEMITOP E2 (63x57x12) | |
SK150MBL055T | SEMIKRON |
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Mosfet Module | |
SK150MHK055T | SEMIKRON |
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Mosfet Module | |
SK150MLI066T | SEMIKRON |
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IGBT Module | |
SK150MLI07S5TD1E2 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
SK150MLIB12F4TE2 | SEMIKRON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
SK1510 | THINKISEMI |
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15.0 Ampere Surface Mount Round Lead Schottky Barrier Rectifier Diodes | |
SK1510 | MCC |
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15 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts |