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SK150MBL055T

更新时间: 2024-11-25 04:04:39
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
3页 599K
描述
Mosfet Module

SK150MBL055T 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28
针数:28Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.64
配置:COMPLEX最小漏源击穿电压:55 V
最大漏极电流 (ID):240 A最大漏源导通电阻:0.0026 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-XUFM-X28
元件数量:3端子数量:28
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):340 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

SK150MBL055T 数据手册

 浏览型号SK150MBL055T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SK150MBL055T的Datasheet PDF文件第3页 
SK 150 MBL 055 T MOSFET,TRANSISTOR  
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Absolute Maximum Ratings  
Symbol Conditions  
Values  
Units  
MOSFET  
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1
1
8
8
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SEMITOP 3  
 
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Mosfet Module  
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SK 150 MBL 055 T  
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Target Data  
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1
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Features  
Characteristics  
Symbol Conditions  
MOSFET  
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 , . 85 12" , 64 15  ; , 60. /ꢁ  
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Typical Applications  
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664  
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6).  
I+J  
Inverse diode  
1"ꢙ  
#
? , . 85 12" , 4 15  ; , 0. /ꢁ  
ꢑꢍꢈꢉꢏ ꢓꢂꢔꢔꢂꢐꢋꢍꢌ ꢆꢂꢍꢈꢋꢇꢋꢂꢍꢊF  
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1A , :4 85 ꢈꢋ+ꢈꢇ , 644 8+Bꢊ  
4)H  
1
#
-
8
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ꢏꢏ  
#
4):.  
Bꢁ  
-4  
ꢍꢊ  
Free-wheeling diode  
1?  
#? , 644 85 12" , 1  
4)H.  
1
Aꢇꢕꢘ;<ꢊꢛ  
$ꢉꢏ ꢈꢋꢂꢈꢉ  
4)H.  
I+J  
#
ꢑꢍꢈꢉꢏ ꢓꢂꢔꢔꢂꢐꢋꢍꢌ ꢆꢂꢍꢈꢋꢇꢋꢂꢍꢊF  
8
AA(  
Kꢏꢏ  
ꢏꢏ  
#
? , 6.4 85  &; , /ꢁ  
Bꢁ  
1 , @4 85 ꢈꢋ+ꢈꢇ , 8+Bꢊ  
ꢍꢊ  
Mechanical data  
(6  
ꢃꢂꢑꢍꢇꢋꢍꢌ ꢇꢂꢏLꢑꢉ  
0).  
Mꢃ  
:4  
ꢁꢅꢊꢉ  
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  @.  
MBL  
1
16-02-2007 DIL  
© by SEMIKRON  

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