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SK150MLI07S5TD1E2

更新时间： 2024-09-29 20:04:23

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		栅
页数	文件大小	规格书
6页	372K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor,

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SK150MLI07S5TD1E2 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.57	Base Number Matches：	1

SK150MLI07S5TD1E2 数据手册

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SK150MLI07S5TD1E2

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT1

Values

Unit

T_j= 25 °C

V_CES

I_C

650

128

100

150

450

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

-20 ... 20

SEMITOP^®E2

V_CC= 360 V, V_GE≤ 15 V, T_j= 150 °C,

_CES≤ 650 V

t_psc

not capable

-40 ... 175

µs

°C

T_j

3-Level NPC Inverter

IGBT2

V_CES

I_C

T_j= 25 °C

650

196

153

150

450

Engineering Sample

SK150MLI07S5TD1E2

Target Data

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Cnom

I_CRM

V_GES

I_CRM= 3 x I_Cnom

Features

• Low inductive design

• Press-Fit contact technology

• Rugged mounting due to integrated

mounting clamps

-20 ... 20

V_CC= 360 V, V_GE≤ 15 V, T_j= 150 °C,

_CES≤ 650 V

t_psc

T_j

not capable

175

µs

°C

• Heat transfer and insulation through

direct copper bonded aluminium oxide

ceramic (DBC)

Diode1

V_RRM

I_F

T_j= 25 °C

650

106

100

200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

• 650V Trench IGBT S5 technology as

outer position

T_j= 175 °C

• 650V Trench IGBT L5 technology as

inner position

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Rapid switching clamping diode

technology

t.b.d.

-40 ... 175

°C

• Split connections of IGBT gates for

optimized driving

Diode2

V_RRM

I_F

• Integrated NTC temperature sensor

• UL recognized, file no. E 63 532

T_j= 25 °C

650

111

100

200

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

Typical Applications

• UPS

• Solar

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

• Suitable for positive power factor

conversion stage

t.b.d.

-40 ... 175

°C

Remarks*

Diode5

V_RRM

I_F

• Recommended T_jop= -40 ... +150°C

• IGBT1: outer IGBTs T1 & T4

• IGBT2: inner IGBTs T2 & T3

• Diode1: outer Diodes D1 & D4

• Diode2: inner Diodes D2 & D3

• Diode5: clamping diodes D5 & D6

T_j= 25 °C

650

125

150

300

T_s= 25 °C

T_s= 70 °C

T_j= 175 °C

I_Fnom

I_FRM

I_FSM

T_j

I_FRM= 2 x I_Fnom

10 ms, sin 180°, T_j= 25 °C

810

°C

Footnotes

-40 ... 175

¹⁾Please find further technical information

on the SEMIKRON website.

Module

I_t(RMS)

T_stg

T_terminal= 80 °C, T_S= 60°C, per pin

AC, sinusoidal, t = 1 min

-40 ... 125

2500

°C

V_isol

MLI-T

Rev. 0.3 – 08.03.2019

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SK150MLIB12F4TE2	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
SK1510	THINKISEMI	获取价格	15.0 Ampere Surface Mount Round Lead Schottky Barrier Rectifier Diodes
SK1510	MCC	获取价格	15 Amp Schottky Rectifier 20 to 100 Volts
SK1510	MICROSEMI	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, SMCJ, MODIFIED D
SK15100PQ	DIOTEC	获取价格	Surface Mount Schottky Rectifier Diodes
SK1510P	MCC	获取价格	DIODE 15 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AB, SMCJ, 2 PIN, Rectifier Diode
SK1510-T	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
SK1510-TP	MCC	获取价格	Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS C
SK1510-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
SK15-13	DIODES	获取价格	SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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