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Datasheet > 晶体管 > IGBT> SK150MLI066T
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SK150MLI066T

更新时间： 2024-11-25 11:57:15
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
5页 930K
描述
IGBT Module

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SK150MLI066T 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X70针数：70
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.53Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：151 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：COMPLEX
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X70
元件数量：4端子数量：70
最高工作温度：175 °C封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：505 ns标称接通时间 (ton)：171 ns
VCEsat-Max：1.85 VBase Number Matches：1

SK150MLI066T 数据手册

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SK150MLI066T  
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Symbol Conditions  
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16-07-2009 DIL  
© by SEMIKRON  
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与SK150MLI066T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SK150MLI07S5TD1E2 SEMIKRON

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SK1510-TP-HF MCC

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 		暂无描述

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