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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X11 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.61 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 150 A |
| 配置： | COMPLEX | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 最大降落时间（tf）： | 3000 ns | JESD-30 代码： | R-PUFM-X11 |
| JESD-609代码： | e2 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 11 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 1380 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 690 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Silver (Sn/Ag) | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 15000 ns | 最大开启时间（吨）： | 2500 ns |
| VCEsat-Max： | 2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SK150DGL12T4TE1 | SEMIKRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Modules SEMITOP E1 (63x34x12) |
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| SK150GB066T | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
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| SK150GD066T | SEMIKRON |
获取价格 |
3-phase bridge inverter |
|
| SK150GD066T_07 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| SK150GD066T_09 | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| SK150MB120CR03TE2 | SEMIKRON |
获取价格 |
SiC Modules SEMITOP E2 (63x57x12) |
|
| SK150MBL055T | SEMIKRON |
获取价格 |
Mosfet Module |
|
| SK150MHK055T | SEMIKRON |
获取价格 |
Mosfet Module |
|
| SK150MLI066T | SEMIKRON |
获取价格 |
IGBT Module |
|
| SK150MLI07S5TD1E2 | SEMIKRON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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