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SK150GB066T

更新时间： 2024-09-29 09:24:51

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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON		双极性晶体管
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IGBT Module

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SK150GB066T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	16
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.73	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	124 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	GENERAL PURPOSE SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	611 ns	标称接通时间 (ton)：	145 ns
VCEsat-Max：	1.85 V	Base Number Matches：	1

SK150GB066T 数据手册

SK150GB066T

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SK150GB066T

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Features

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Characteristics

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GB-T

03-06-2009 DIL

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SK150MB120CR03TE2	SEMIKRON	获取价格	SiC Modules SEMITOP E2 (63x57x12)
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SK150MLI066T	SEMIKRON	获取价格	IGBT Module
SK150MLI07S5TD1E2	SEMIKRON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
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