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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFP264N
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SIHFP264N

更新时间： 2024-10-17 06:11:39
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 151K
描述
Power MOSFET

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SIHFP264N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.14Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：520 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：44 A最大漏极电流 (ID)：44 A
最大漏源导通电阻：0.06 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：380 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：170 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIHFP264N 数据手册

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IRFP264N, SiHFP264N  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Advanced Process Technology  
250  
• Dynamic dV/dt Rating  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
• Fully Avalanche Rated  
• Ease of Paralleling  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.060  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
210  
34  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
94  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
D
TO-247  
DESCRIPTION  
Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize  
advanced processing techniques to achieve extremely low  
on-resistance per silicon area. This benefit, combined with  
the fast switching speed and ruggedized device design that  
Power MOSFETs are well know for, provides the designer  
with an ectremely efficient and reliable device for use in a  
wide variety of applications.  
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial  
applications where higher power levels preclude the use of  
TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the  
earlier TO-218 package because of its isolated mounting  
hole.  
G
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-247  
IRFP264NPbF  
SiHFP264N-E3  
IRFP264N  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFP264N  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
250  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
44  
31  
Continuous Drain Current  
VGS at 10 V  
ID  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
170  
Linear Derating Factor  
2.6  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
520  
25  
EAR  
38  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
380  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
8.7  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 175  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. Starting TJ = 25 °C, L = 1.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = 25 A, VGS = 10 V (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 25 A, dI/dt ≤ 500 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91216  
S-81274-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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