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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFI840GLC-E3
SIHFI840GLC-E3 PDF预览

SIHFI840GLC-E3

更新时间： 2024-11-30 06:11:39
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威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 1666K
描述
Power MOSFET

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SIHFI840GLC-E3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.16
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：300 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：4.5 A最大漏极电流 (ID)：4.5 A
最大漏源导通电阻：0.85 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：40 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SIHFI840GLC-E3 数据手册

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IRFI840GLC, SiHFI840GLC  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• Ultra Low Gate Charge  
VDS (V)  
500  
• Reduced Gate Drive Requirement  
• Enhanced 30 V VGS Rating  
• Isolated Package  
Available  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
0.85  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
39  
10  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s; f = 60 Hz)  
• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm  
• Repetitve Avalanche Rated  
19  
Configuration  
Single  
D
• Lead (Pb)-free Available  
TO-220 FULLPAK  
DESCRIPTION  
This new series of low charge Power MOSFETs achieve  
significantly lower gate charge over conventional MOSFETs.  
Utilizing advanced Power MOSFET technology, the device  
improvements allow for reduced gate drive requirements,  
faster switching speeds and increased total system savings.  
These device improvements combined with the proven  
ruggedness and reliability that are characteristic of  
MOSFETs offer the designer a new standard in power  
transistors for switching applications.  
G
S
D
G
S
N-Channel MOSFET  
The TO-220 FULLPAK eliminates the need for additional  
insulating hardware. The molding compound used provides  
a high isolation capability and low thermal resistance  
between the tab and external heatsink.  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220 FULLPAK  
IRFI840GLCPbF  
SiHFI840GLC-E3  
IRFI840GLC  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFI840GLC  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
SYMBOL  
LIMIT  
500  
30  
UNIT  
VDS  
VGS  
V
T
C = 25 °C  
4.5  
2.9  
18  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
A
TC =100°C  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.32  
300  
4.5  
4.0  
40  
W/°C  
mJ  
A
mJ  
W
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
EAR  
PD  
dV/dt  
TJ, Tstg  
Maximum Power Dissipation  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TC = 25 °C  
3.5  
V/ns  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 26 mH, RG = 25 Ω, IAS = 4.5 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91160  
S-81292-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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