Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFBC30ASTR-E3

SIHFBC30ASTR-E3

更新时间： 2024-10-15 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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Power MOSFET

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SIHFBC30ASTR-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFBC30ASTR-E3 数据手册

IRFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AS, SiHFBC30AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

600

Available

V_GS= 10 V

2.2

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

5.4

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

I²PAK (TO-262)

D²PAK (TO-263)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

IRFBC30ALPbF

SiHFBC30AL-E3

IRFBC30AL

IRFBC30ASPbF

SiHFBC30AS-E3

IRFBC30AS

IRFBC30ASTRLPbF^a

SiHFBC30ASTL-E3^a

IRFBC30ASTRL^a

IRFBC30ASTRRPbF^a

SiHFBC30ASTR-E3^a

IRFBC30ASTRR^a

SiHFBC30ASTR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFBC30AS

SiHFBC30ASTL^a

SiHFBC30AL

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

3.6

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

2.3

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.69

290

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.6

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

7.0

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 46 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 3.6 A, dI/dt ≤ 170 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC30A/SiHFBC30A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91109

S-81412-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

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