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SIHFBC30AS-GE3

更新时间： 2024-11-27 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	287K
描述
TRANSISTOR 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFBC30AS-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.06
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A	最大漏极电流 (ID)：	3.6 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFBC30AS-GE3 数据手册

IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_g(Max.) (nC)

600

V_GS= 10 V

2.2

5.4

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Effective C_ossSpecified

Configuration

Single

I²PAK (TO-262)

D²PAK (TO-263)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

SiHFBC30AL-GE3

IRFBC30ALPbF

SiHFBC30AL-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFBC30AS-GE3

IRFBC30ASPbF

SiHFBC30AS-E3

SiHFBC30ASTRL-GE3^a

IRFBC30ASTRLPbF^a

SiHFBC30ASTL-E3^a

SiHFBC30ASTRR-GE3^a

IRFBC30ASTRRPbF^a

SiHFBC30ASTR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

3.6

2.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.69

290

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.6

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

7.0

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 46 mH, R_g= 25 , I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD 3.6 A, dI/dt  170 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC30A/SiHFBC30A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91109

S11-1052-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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SIHFBC30ASTR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBC30ASTR-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBC30-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBC30L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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