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SIHFBC30AL-GE3

更新时间： 2024-11-24 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	287K
描述
TRANSISTOR 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-262, I2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHFBC30AL-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-262AA
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.08
雪崩能效等级（Eas）：	290 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
最大漏极电流 (ID)：	3.6 A	最大漏源导通电阻：	2.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-262AA
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHFBC30AL-GE3 数据手册

IRFBC30AS, SiHFBC30AS, IRFBC30AL, SiHFBC30AL

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

_DS(on)()

Q_g(Max.) (nC)

600

V_GS= 10 V

2.2

5.4

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Effective C_ossSpecified

Configuration

Single

I²PAK (TO-262)

D²PAK (TO-263)

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

SiHFBC30AL-GE3

IRFBC30ALPbF

SiHFBC30AL-E3

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHFBC30AS-GE3

IRFBC30ASPbF

SiHFBC30AS-E3

SiHFBC30ASTRL-GE3^a

IRFBC30ASTRLPbF^a

SiHFBC30ASTL-E3^a

SiHFBC30ASTRR-GE3^a

IRFBC30ASTRRPbF^a

SiHFBC30ASTR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

_C= 25 °C

3.6

2.3

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

0.69

290

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

3.6

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

7.0

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 46 mH, R_g= 25 , I_AS= 3.6 A (see fig. 12).

c. I_SD 3.6 A, dI/dt  170 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC30A/SiHFBC30A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91109

S11-1052-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHFBC30AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBC30AS-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHFBC30AS-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND
SIHFBC30ASTL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
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