Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIHFB9N65A-E3

SIHFB9N65A-E3

更新时间： 2024-11-27 06:11:39

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHFB9N65A-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.21	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	325 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	650 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.5 A
最大漏极电流 (ID)：	8.5 A	最大漏源导通电阻：	0.93 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	167 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	21 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHFB9N65A-E3 数据手册

IRFB9N65A, SiHFB9N65A

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

650

Available

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.93

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

APPLICATIONS

TO-220

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Flyback

• Single Transistor Forward

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRFB9N65APbF

SiHFB9N65A-E3

IRFB9N65A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFB9N65A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

650

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

8.5

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

5.4

Pulsed Drain Current^a

I_DM

1.3

Linear Derating Factor

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

325

5.2

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

167

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

2.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 24 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.2 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91104

S-81243-Rev. B, 21-Jul-08

www.vishay.com

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