SIHF634

更新时间： 2024-02-01 16:46:55

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
8页	1542K
描述
Power MOSFET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF634 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.1 A	最大漏极电流 (ID)：	8.1 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF634 数据手册

IRF634, SiHF634

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

250

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.45

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

6.5

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF634PbF

SiHF634-E3

IRF634

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF634

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

8.1

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

300

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

8.1

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.8

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 7.3 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.1 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.1 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91034

S-81241-Rev. A, 07-Jul-08

www.vishay.com

12 3 4 5 6 7 8

下载PDF

与SIHF634相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SIHF6340STL-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF634-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF634N	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF634N-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF634NL	VISHAY	Power MOSFET	获取价格
SIHF634NL-E3	VISHAY	Power MOSFET	获取价格

与SIHF634相关文章

STM32H743技术深度剖析与应用案例探索
2024-05-30

17
LM321中文资料解析：引脚功能介绍、技术特点、技术特性分析
2024-05-30

16
74HC14芯片资料介绍：性能特性分析、引脚介绍
2024-05-30

14
LM1875芯片手册：功放参数分析、引脚说明、电路设计要点
2024-05-30

11

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF634

SIHF634 技术参数

SIHF634 数据手册

与SIHF634相关器件

与SIHF634相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF634

SIHF634 技术参数

SIHF634 数据手册

与SIHF634相关器件

与SIHF634相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？