Datasheet > SIHF634S-E3

SIHF634S-E3

更新时间： 2024-11-24 14:44:43

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	193K
描述
TRANSISTOR 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, 3 PIN, FET General Purpose Power

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SIHF634S-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.1 A	最大漏极电流 (ID)：	8.1 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SIHF634S-E3 数据手册

IRF634S, SiHF634S

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

250

• Surface Mount

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.45

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

Q_g(Max.) (nC)

6.5

_gs(nC)

_gd(nC)

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

D²PAK (TO-263)

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate up

to 2.0 W in a typical surface mount application.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

Lead (Pb)-free and Halogen-free

SiHF634S-GE3

IRF634SPbF

SiHF634S-E3

SiHF634STRR-GE3^a

IRF634STRRPbF^a

SiHF634STR-E3^a

Lead (Pb)-free

Note

a. See device orientation

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

_C= 100 °C

8.1

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

0.025

300

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

8.1

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

T_C= 25 °C

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

3.1

dV/dt

4.8

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 7.3 mH, R_g= 25 , I_AS= 8.1 A (see fig. 12).

c. I_SD 8.1 A, dI/dt  120 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91035

S11-1047-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与SIHF634S-E3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SIHF634STR-E3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220,
SIHF634STRR-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
SIHF640	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SiHF640	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
SIHF640-E3	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching
SIHF640-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF640L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF640L-E3	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
SIHF640L-GE3	VISHAY	获取价格	TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND
SIHF640S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

与SIHF634S-E3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

39
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

31
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

59
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

55

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF634S-E3

SIHF634S-E3 技术参数

SIHF634S-E3 数据手册

与SIHF634S-E3相关器件

与SIHF634S-E3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

SIHF634S-E3

SIHF634S-E3 技术参数

SIHF634S-E3 数据手册

与SIHF634S-E3相关器件

与SIHF634S-E3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？