是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.08 |
其他特性: | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级(Eas): | 300 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 250 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.1 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.1 A |
最大漏源导通电阻: | 0.45 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 74 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 32 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SIHF634STR-E3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 8.1 A, 250 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, SMD-220, | |
SIHF634STRR-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power | |
SIHF640 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SiHF640 | KERSEMI |
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Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching | |
SIHF640-E3 | KERSEMI |
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Power MOSFET Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Fast Switching | |
SIHF640-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF640L | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF640L-E3 | VISHAY |
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Power MOSFET | |
SIHF640L-GE3 | VISHAY |
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TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, HALOGEN FREE AND | |
SIHF640S | VISHAY |
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Power MOSFET |