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SIHF640STRR-GE3

更新时间： 2024-11-27 15:51:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	196K
描述
TRANSISTOR 18 A, 200 V, 0.18 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3, FET General Purpose Power

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SIHF640STRR-GE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	D2PAK
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	580 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	18 A
最大漏极电流 (ID)：	18 A	最大漏源导通电阻：	0.18 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	130 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	72 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF640STRR-GE3 数据手册

IRF640S, IRF640L, SiHF640S, SiHF640L

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Surface Mount

• Low-Profile Through-Hole

• Available in Tape and Reel

• Dynamic dV/dt Rating

• 150 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

200

_DS(on)()

V_GS= 10 V

0.18

Q_g(Max.) (nC)

_gs(nC)

_gd(nC)

Configuration

Single

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

DESCRIPTION

I²PAK

D²PAK

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combinations of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

(TO-262)

(TO-263)

The D²PAK is a surface mount power package capable of

accommodating die size up to HEX-4. It provides the

highest power capability and the last lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK is suitable for high current applications because of

its low internal connection resistance and can dissipate up

to 2.0 W in a typical surface mount application. The

through-hole version (IRF640L/SiHF640L) is available for

low-profile applications.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

Lead (Pb)-free and Halogen-free

D²PAK (TO-263)

I²PAK (TO-262)

SiHF640L-GE3

IRF640LPbF

SiHF640S-GE3

IRF640SPbF

SiHF640S-E3

SiHF640STRL-GE3^a

IRF640STRLPbF^a

SiHF6340STL-E3^a

SiHF640STRR-GE3^a

IRF640STRRPbF^a

SiHF640STR-E3^a

Lead (Pb)-free

SiHF640L-E3

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_C= 25 °C, unless otherwise noted)

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

V_DS

200

Gate-Source Voltage

V_GS

_C= 25 °C

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C= 100 °C

Pulsed Drain Current^{a, e}

Linear Derating Factor

Single Pulse Avalanche Energy^{b, e}

Avalanche Current^a

I_DM

1.0

W/°C

E_AS

I_AR

580

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

_C= 25 °C

3.1

Maximum Power Dissipation

P_D

V/ns

°C

T_A= 25 °C

130

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

dV/dt

5.0

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

300^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 2.7 mH, R_g= 25 , I_AS= 18 A (see fig. 12).

c. I_SD 18 A, dI/dt  150 A/μs, V_DD V_DS, T_J 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRF640/SiHF640 data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91037

S11-1047-Rev. C, 30-May-11

www.vishay.com

This document is subject to change without notice.

THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000

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