SIHF634N

更新时间： 2024-02-24 16:27:13

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHF634N 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.08
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	8.1 A	最大漏极电流 (ID)：	8.1 A
最大漏源导通电阻：	0.45 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	32 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF634N 数据手册

IRF634N, IRF634NL, IRF634NS, SiHF634N, SiHF634NL, SiHF634NS

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

• Advanced Process Technology

• Dynamic dV/dt Rating

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

• Fully Avalanche Rated

• Ease of Paralleling

250

Available

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

V_GS= 10 V

0.435

RoHS*

COMPLIANT

6.5

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

Fifth generation Power MOSFETs from Vishay utilize

advanced processing techniques to achieve extremely low

on-resistance per silicon area. This benefit, combined with

the fast switching speed and ruggedized device design that

Power MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use in a

wide variety of applications.

I²PAK (TO-262)

TO-220

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

D²PAK (TO-263)

N-Channel MOSFET

The D²PAK (TO-263) is a surface mount power package

capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides

the highest power capability and the lowest possible

on-resistance in any existing surface mount package. The

D²PAK (TO-263) is suitable for high current applications

because of its low internal connection resistance and can

dissipate up to 2.0 W in a typical surface mount application.

The through-hole version (IRF634NL/SiHF634NL) is

available for low-profile application.

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

D²PAK (TO-263)

IRF634NSPbF

SiHF634NS-E3

IRF634NS

D²PAK (TO-263)

IRF634NSTRLPbF^a

SiHF634NSTL-E3^a

IRF634NSTRL^a

D²PAK (TO-263)

IRF634NSTRRPbF^a

SiHF634NSTR-E3^a

IRF634NSTRR^a

SiHF634NSTR^a

I²PAK (TO-262)

IRF634NPbF

SiHF634N-E3

IRF634N

IRF634NLPbF

Lead (Pb)-free

SiHF634NL-E3

SnPb

SiHF634N

SiHF634NS

SiHF634NSTL^a

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

250

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

8.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

5.6

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

110

4.8

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

Repetiitive Avalanche Energy^a

E_AR

8.8

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91033

S-Pending-Rev. A, 19-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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