SIHF630-E3

更新时间： 2024-01-17 23:17:46

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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Power MOSFET

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SIHF630-E3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	250 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	9 A	最大漏极电流 (ID)：	9 A
最大漏源导通电阻：	0.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	36 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Powers	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SIHF630-E3 数据手册

IRF630, SiHF630

Vishay Siliconix

Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit

Circuit layout considerations

• Low stray inductance

• Ground plane

D.U.T

• Low leakage inductance

current transformer

R_G

V_DD

• dV/dt controlled by R_G

• I_SDcontrolled by duty factor "D"

• D.U.T. - device under test

Driver gate drive

P.W.

Period

D =

= 10 V*

D.U.T. I waveform

Reverse

recovery

current

Body diode forward

current

dI/dt

D.U.T. V waveform

Diode recovery

dV/dt

Re-applied

voltage

Body diode

forward drop

Inductor current

Ripple ≤ 5 %

* V_GS= 5 V for logic level devices and 3 V drive devices

Fig. 14 -For N-Channel

Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon

Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and

reliability data, see http://www.vishay.com/ppg?91031.

Document Number: 91031

S-81240-Rev. A, 16-Jun-08

www.vishay.com

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