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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 零件包装代码： | D2PAK | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.37 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 180 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.555 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263AB |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 208 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SiHB12N50E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SIHB12N50E-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 10.5A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
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| SIHB12N60E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SiHB12N65E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SiHB150N60E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SiHB15N50E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
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| SIHB15N60E | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
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| SiHB15N65E | VISHAY |
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E Series Power MOSFET |
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| SIHB15N65E-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
MOSFET N-CH 650V 15A TO263 |
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| SiHB15N80AE | VISHAY |
获取价格 |
E Series Power MOSFET |
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