5秒后页面跳转
SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T) PDF预览

SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)

更新时间: 2024-11-14 17:01:51
品牌 Logo 应用领域
深爱 - SISEMIC 开关
页数 文件大小 规格书
9页 793K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T) 数据手册

 浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)的Datasheet PDF文件第7页 
深圳深爱半导体股份有限公司  
产品规格书  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF2N70D  
●特点:导通电阻低  
开关速度快  
输入阻抗高  
符合RoHS规范  
FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT  
●应用:电子镇流器  
电子变压器  
开关电源  
APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY  
●最大额定值(Tc=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25C)  
TO-220FP/251T/251S/252/252T  
单位  
UNIT  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
VDS=700V  
RDS(ON)=5.5Ω  
ID=2.0A  
-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
700  
V
-源电压  
gate-source Voltage  
±30  
V
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
2.0*  
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=100℃  
ID  
1.25*  
8.0*  
A
A
最大脉冲电流  
Drain Current Pulsed  
IDM  
耗散功率  
Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
28  
150  
W
C  
C  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
-55-150  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy   
EAS  
120  
mJ  
*漏极电流由最高结温限制  
*Drain current limited by maximum junction temperature  
●电特性(Tc=25C)  
Electronic CharacteristicsTc=25C)  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
TEST CONDITION  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
BVDSS  
VGS=0V, ID=250A  
700  
V
击穿电压温度系数  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ΔBVDSS/  
ΔTj  
ID=250uA, Referenced to  
0.6  
V/C  
25C  
栅极开启电压  
Gate Threshold Voltage  
VGS(TH)  
VGS=VDS, ID=250A  
2.0  
4.0  
25  
V
A  
A  
S
VDS =700V,  
VGS =0V, Tj=25C  
-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
IDSS  
VDS =560V,  
VGS =0V, Tj=125C  
250  
跨导  
Forward Transconductance  
VDS =40V, ID=1A  
gfs  
1.5  
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
包装形式/PACKING  
订货编码/ORDERING CODE  
普通塑封料  
Normal Package Material  
无卤塑封料  
Halogen Free  
TO-220FP 252(T)251T 251S 条管装  
TUBE PACKING  
SIF2N70D TO-220FP-251T-TU 或  
251S-TU 252(T)-TU  
SIF2N70DTO-220FP-251T-TU-HF  
251S-TU 252(T)-TU-HF  
TO-252(T) 编带/TAPE & REEL PACKING  
SIF2N70D TO-252(T)-TR  
SIF2N70D TO-252(T)-TR-HF  
1
Si semiconductors 2017.09  

与SIF2N70D(TO-220FP&251T&251S&252&252T)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIF2N70E(TO-251T&251S&252&252T) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF2N70FA(TO-251T&251S&252&252T) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF2N80C(TO-251&251S&252&252T) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF-30 MINI

获取价格

Low Pass Filter,
SIF30N060(TO-251T&251S&252&252T) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF30N100(TO-251T&251S&252&252T) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF30N20(TO-220) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF32N20A(TO-220&220FP&262&263) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF33N10A(TO-220&220FP) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范
SIF33N10A(TO-251&252) SISEMIC

获取价格

导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范