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SIF40N100(TO-251T&251S&252&252T)

更新时间： 2024-04-09 19:00:26

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深爱 - SISEMIC		开关
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描述
导通电阻低开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

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SIF40N100(TO-251T&251S&252&252T) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

产品规格书

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF40N100

●特点：热阻低导通电阻低栅极电荷低，开关速度快输入阻抗高符合RoHS规范

●FEATURES：■LOW THERMAL RESISTANCE ■LOW R_DS(ON)TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS ■LOW GATE

CHARGE FOR FAST SWITCHING ■HIGH INPUT RESISTANCE ■RoHS COMPLIANT

●应用：低压高频逆变电路同步整流开关

●APPLICATION: ■LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS

■PRIMARY SWITCH

■SYNCHRONOUS RECTIFIER

●最大额定值（TC=25C）

●Absolute Maximum Ratings（Tc=25C） TO-251T/251S/252/252T

参数

PARAMETER

符号

额定值

单位

UNIT

SYMBOL VALUE

V_DS=100V

R_DS(ON)=12mΩ

I_D=40A

漏-源电压

Drain-source Voltage

V_DS

V_GS

100

栅-源电压

gate-source Voltage

±20

漏极电流

Continuous Drain Current

TC=25℃

I_D

①

耗散功率

Total Power Dissipation ①

P_tot

150

C

最高结温

Junction Temperature

存储温度

Storage Temperature

T_STG

-55-175

单脉冲雪崩能量

Single Pulse Avalanche Energy

②

E_AS

●电特性（Tc=25C）

●Electronic Characteristics（Tc=25C）

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

漏-源击穿电压

Drain-source Breakdown Voltage

BV_DSS

V_GS(TH)

I_DSS

V_GS=0V, I_D=250A

100

1.4

栅极开启电压

Gate Threshold Voltage

V_GS=V_DS,I_D=250A

2.5

漏-源漏电流

Drain-source Leakage Current

V_DS=100V,V_GS=0V,

A

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current

I_GSS

V_GS=±20V ,V_DS=0V

±100

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=10V, I_D=20A

V_GS=4.5V, I_D=20A

R_DS(ON)

mΩ

跨导

Forward Transconductance

g_FS

V_DS=10V, I_D=20A

●订单信息/ORDERING INFORMATION:

包装形式/PACKING

订货编码/ORDERING CODE

普通塑封料

Normal Package Material

无卤塑封料

Halogen Free

TO-252(T)或 251S 或 251T 条管装

TUBE PACKING

SIF40N100 TO-251T-TU 或

251S-TU 或 252(T)-TU

SIF40N100 TO-251T-TU-HF 或

251S-TU-HF 或 252(T)-TU-HF

TO-252(T) 编带装

TAPE & REEL PACKING

SIF40N100 TO-252(T)-TR

SIF40N100 TO-252(T)-TR-HF

Si semiconductors 2017.03

12 3 4 5 6 7...9

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