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SIF60N030(DFN33)

更新时间: 2024-04-09 19:02:30
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深爱 - SISEMIC 开关
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4页 487K
描述
导通电阻低 开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范

SIF60N030(DFN33) 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司  
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.  
产品规格书  
Product Specification  
N-沟道功率 MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET  
SIF60N030  
●特点:热阻低 导通电阻低 栅极电荷低,开关速度快 输入阻抗高 符合RoHS规范  
FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE LOW RDS(ON) TO MINIMIZE CONDUCTIVE LOSS LOW GATE  
CHARGE FOR FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT  
●应用:低压高频逆变电路 同步整流 开关应用  
APPLICATION: LOW VOLTAGE,HIGH FREQUENCY INVERTERS  
SWITCH APPLICATIONS  
SYNCHRONOUS RECTIFICATION  
●最大额定值(TC=25C)  
Absolute Maximum RatingsTc=25CDFN3*3-8L  
单位  
UNIT  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
额定值  
VALUE  
VDS=30V  
-源电压  
Drain-source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
V
RDS(ON)=7.0mΩ  
ID=60A  
-源电压  
gate-source Voltage  
±20  
V
A
漏极电流  
Continuous Drain Current  
TC=25℃  
ID  
60  
耗散功率  
Total Power Dissipation  
Ptot  
Tj  
46  
150  
W
C  
C  
mJ  
最高结温  
Junction Temperature  
存储温度  
Storage Temperature  
TSTG  
EAS  
-55-175  
100  
单脉冲雪崩能量  
Single Pulse Avalanche Energy   
●电特性(Tc=25C)  
Electronic CharacteristicsTc=25C)  
参数  
PARAMETER  
符号  
SYMBOL  
测试条件  
最小值  
MIN  
典型值  
TYP  
最大值  
MAX  
单位  
UNIT  
TEST CONDITION  
VGS=0V, ID=250A  
VGS=VDS, ID=250A  
-源击穿电压  
Drain-source Breakdown Voltage  
栅极开启电压  
BVDSS  
VGS(TH)  
IDSS  
30  
V
V
1.0  
3.0  
1
Gate Threshold Voltage  
-源漏电流  
Drain-source Leakage Current  
栅极漏电流  
VDS =30V,VGS =0V  
VGS =±20V  
A  
Gate-body Leakage  
Current (VDS = 0)  
IGSS  
±100  
nA  
VGS =10V, ID=30A  
VGS =4.5V, ID=20A  
VDS =10V, ID=30A  
7
9
-源导通电阻  
Static Drain-source On  
Resistance  
RDS(ON)  
mΩ  
8.5  
38  
11  
跨导  
Forward Transconductance  
gFS  
S
●订单信息/ORDERING INFORMATION:  
订货编码/ORDERING CODE  
包装形式/PACKING  
普通塑封料/ Normal Package Material  
无卤塑封料/Halogen Free  
DFN3x3 编带/TAPE & REEL PACKING  
SIF60N030 DFN3x3-TR  
SIF60N030 DFN3x3-TR-HF  
1
Si semiconductors 2019.06  

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