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SIF110N060TO-220-TU-HF

更新时间： 2022-02-26 12:23:38

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N-CHANNEL POWER MOSFET

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SIF110N060TO-220-TU-HF 数据手册

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深圳深爱半导体股份有限公司

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD.

产品规格书

Product Specification

N-沟道功率 MOS 管/ N-CHANNEL POWER MOSFET

SIF110N060

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

测试条件

TEST CONDITION

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

栅极漏电流

Gate-body Leakage

Current (V_DS= 0)

I_GSS

V_GS=±20V

±100

漏-源导通电阻

Static Drain-source On

Resistance

V_GS=10V, I_D=24A

③

R_DS(ON)

mΩ

输入电容

Input Capacitance

Ciss

Coss

Crss

Td(off)

3395

435

150

输出电容

Output Capacitance

V_GS= 0V, V_DS= 25V

F = 1.0MHZ

反向传输电容

Reverse Transfer Capacitance

关断延迟

Turn -Off Delay Time

V_DD=30V, I_D=38A

R_G=2.5Ω

③

栅极电荷

Total Gate Charge

I_D=38A, V_DS= 30V

栅源电荷

Gate-to-Source Charge

V_GS= 10V

③

Qgs

Qgd

V_SD

栅漏电荷

Gate-to-Drain Charge

二极管正向压降

Diode Forward Voltage

Tj=25°C, Is=30A

1.2

V_GS=0V

③

反向恢复时间

Reverse Recovery Time

trr

Tj=25°C,If=38A

di/dt=100A/μs

③

反向恢复电荷

Reverse Recovery Charge

Qrr

●热特性

●Thermal Characteristics

参数

PARAMETER

符号

SYMBOL

最小值

MIN

典型值

TYP

最大值

MAX

单位

UNIT

热阻结-壳

Thermal Resistance Junction-case

Rth_JC

0.83

℃/W

热阻结-环境

Thermal Resistance Junction-ambient

Rth_JA

62.5

注释(Notes):

①

以最高结温为限制，基于 TO-220 封装形式，25℃下本产品 I_D为 80A

I_D& P_Dbase on maximum allowable junction temperature, calculated upon TO-220 package type is limited to carry

80A at 25℃.

②

③

初始结温=25^oC, V_DD=30V, L=1mH, R_G=25Ω, I_AS=20A

Starting Tj=25^oC, V_DD=30V, L=1mH, R_G=25Ω, I_AS=20A

脉冲测试：脉冲宽度≤ 300μs ，占空比≤ 2%

Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2%

Si semiconductors 2013.5

123 4 5

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