5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SIE862DF-T1-GE3
SIE862DF-T1-GE3 PDF预览

SIE862DF-T1-GE3

更新时间： 2024-11-13 09:25:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 209K
描述
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

SIE862DF-T1-GE3 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-N4针数：10
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.83Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：80 mJ外壳连接：DRAIN SOURCE
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A最大漏极电流 (ID)：30 A
最大漏源导通电阻：0.0038 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-N4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：4工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：100 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SIE862DF-T1-GE3 数据手册

 浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第4页浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SIE862DF-T1-GE3的Datasheet PDF文件第7页 
New Product  
SiE862DF  
Vishay Siliconix  
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
ID (A)a  
Definition  
•
•
TrenchFET® Gen III Power MOSFET  
Ultra Low Thermal Resistance Using  
Top-Exposed PolarPAK® Package for  
Double-Sided Cooling  
Silicon Package  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)e  
Qg (Typ.)  
Limit  
Limit  
0.0032 at VGS = 10 V  
0.0041 at VGS = 4.5 V  
134  
50  
30  
23 nC  
119  
50  
•
Leadframe-Based New Encapsulated Package  
- Die Not Exposed  
Package Drawing  
www.vishay.com/doc?68797  
- Same Layout Regardless of Die Size ≤ 100 V  
Low Qgd/Qgs Ratio Helps Prevent Shoot-Through  
100 % Rg and UIS Tested  
•
•
•
PolarPAK  
Compliant to RoHS directive 2002/95/EC  
10  
D
9
G
8
S
7
S
6
D
6
7
8
9
10  
D
APPLICATIONS  
D
•
•
•
•
VRM  
DC/DC Conversion  
Synchronous Rectification  
POL  
D
D
5
S
G
G
D
1
G
2
S
3
S
4
D
5
4
3
2
1
S
Top View  
Bottom View  
N-Channel MOSFET  
Top surface is connected to pins 1, 5, 6, and 10  
For Related Documents  
www.vishay.com/ppg?65026  
Ordering Information: SiE862DF-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
VGS  
30  
20  
V
134 (Silicon Limit)  
50a (Package Limit)  
TC = 25 °C  
50a  
30b, c  
24b, c  
100  
50a  
4.3b, c  
40  
80  
104  
66  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)  
ID  
TC = 70 °C  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
A
Pulsed Drain Current  
IDM  
IS  
T
C = 25 °C  
Continuous Source-Drain Diode Current  
TA = 25 °C  
L = 0.1 mH  
TC = 25 °C  
Single Pulse Avalanche Current  
Avalanche Energy  
IAS  
EAS  
mJ  
W
T
C = 70 °C  
PD  
Maximum Power Dissipation  
5.2b, c  
3.3b, c  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)d, e  
- 55 to 150  
260  
°C  
Notes:  
a. Package limited.  
b. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
c. t = 10 s.  
d. See Solder Profile (www.vishay.com/doc?73257). The PolarPAK is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed copper (not  
plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and is not  
required to ensure adequate bottom side solder interconnection.  
e. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.  
Document Number: 65026  
S09-1395-Rev. A, 20-Jul-09  
www.vishay.com  
1
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与SIE862DF-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SIE864DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 23 A, 30 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COM
SIE868DF VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SIE868DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
SIE874DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SIE876DF VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SIE876DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SIE878DF VISHAY

获取价格

 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIE878DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIE882DF VISHAY

获取价格

 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET
SIE882DF-T1-GE3 VISHAY

获取价格

 		N-Channel 25-V (D-S) MOSFET

与SIE862DF-T1-GE3相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证