Datasheet > SID100N12

SID100N12

更新时间： 2022-04-06 17:41:15

品牌	Logo	应用领域
SIRECTIFIER		晶体双极型晶体管双极性晶体管栅
页数	文件大小	规格书
2页	607K
描述
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),NPT技术的IGBT模块NPT IGBT Modules (None Punch Through Technology).

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SID100N12 数据手册

SID100N12

NPT IGBT Modules

Dimensions in mm (1mm = 0.0394")

T C, unless otherwise specified

= 25^o

Absolute Maximum Ratings

Symbol

IGBT

Conditions

Units

Values

1200

CES

= 25(80)^o

100(90)

200(180)

= 25(80)^oC, tP =1ms

CRM

GES

Vj,(Tstg

isol

+20

^oC

)

TOPERATION < Tstg

40...+150(125)

2500

AC, 1min

Inverse Diode

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

95(65)

200(180)

720

IF = -IC

IFRM

tP =10ms; sin.;Tj=150^oC

IFSM

Freewheeling diode

= 25(80)^o

= 25(80)^oC, tP =1ms

130(90)

IF = -IC

IFRM

200(180)

tP =10ms; sin.;Tj=150^oC

IFSM

1100

下载PDF

与SID100N12相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
SID100S12	SIRECTIFIER	绝缘栅双极型晶体管（IGBT）Isolated Gate Bipolar Transist	获取价格
SID1010CM	SANKEN	Infrared LEDs	获取价格
SID1010CMTP3	SANKEN	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm	获取价格
SID1010CXM	SANKEN	Infrared LEDs	获取价格
SID1010CXMTP3	SANKEN	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm	获取价格
SID1010CXMTP8	SANKEN	Infrared LED, 5mm, 1-Element, 940nm	获取价格