5秒后页面跳转
SID145S12 PDF预览

SID145S12

更新时间: 2022-04-07 10:15:47
品牌 Logo 应用领域
SIRECTIFIER 晶体双极型晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 619K
描述
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBTs),SPT技术的IGBT模块SPT IGBT Modules (Soft Punch Through Technology)。

SID145S12 数据手册

 浏览型号SID145S12的Datasheet PDF文件第2页 
SID145S12  
SPT IGBT Modules  
Dimensions in mm (1mm = 0.0394")  
T C, unless otherwise specified  
= 25o  
C
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
IGBT  
Conditions  
Units  
Values  
1200  
V
CES  
V
A
A
V
T
T
C
C
= 25(80)o  
C
I
C
190(135)  
380(270)  
= 25(80)oC, tP =1ms  
I
CRM  
GES  
Vj,(Tstg  
isol  
_
+20  
V
oC  
_
_
T
)
TOPERATION < Tstg  
40...+150(125)  
4000  
AC, 1min  
V
V
Inverse Diode  
T
T
C
= 25(80)o  
= 25(80)oC, tP =1ms  
C
130(90)  
380(270)  
1100  
IF = -IC  
IFRM  
A
A
A
C
tP =10ms; sin.;Tj=150oC  
IFSM  
Freewheeling diode  
= 25(80)o  
= 25(80)oC, tP =1ms  
C
130(90)  
A
A
T
C
IF = -IC  
IFRM  
350(260)  
T
C
tP =10ms; sin.;Tj=150oC  
IFSM  
1100  
A

与SID145S12相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
SID150N12 SIRECTIFIER 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transist

获取价格

SID150S12 SIRECTIFIER 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)Isolated Gate Bipolar Transist

获取价格

SID15N10 SECOS N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

获取价格

SID15N10_15 SECOS N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

获取价格

SID1F10CM SANKEN Infrared LEDs

获取价格

SID1F10CMTP1 SANKEN Infrared LED, 5mm, 1-Element, 850nm

获取价格