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SID15N10

更新时间： 2022-02-26 12:42:08
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SECOS /
页数 文件大小 规格书
4页 758K
描述
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

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SID15N10 数据手册

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SID15N10  
15A, 100V, RDS(ON) 110mΩ  
N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A suffix of “-C” specifies halogen free  
TO-251  
DESCRIPTION  
The SID15N10 provide the designer with the best  
combination of fast switching. The TO-251 package is  
universally preferred for all commercial-industrial  
surface mount applications. The device is suited for  
charger, industrial and consumer environment.  
A
C
D
FEATURES  
B
ꢁ
ꢁ
ꢁ
RDS(on) ≦ 100mΩ @ VGS = 10V  
Super high density cell design for extremely low RDS(on)  
Exceptional on-resistance and maximum DC current  
capability  
G E  
K
H
F
MARKING  
M
J
P
Millimeter  
Millimeter  
15N10  
REF.  
REF.  
Min.  
Max.  
6.80  
5.50  
2.40  
0.55  
7.20  
7.80  
Min.  
5.40  
0.90  
Max.  
5.80  
1.50  
Date Code  
ꢀꢀꢀꢀ  
A
B
C
D
E
F
6.40  
5.20  
2.20  
0.45  
6.80  
7.20  
G
H
J
K
M
P
2.30  
0.60  
0.50  
0.45  
0.90  
0.70  
0.60  
PACKAGE INFORMATION  
Package  
MPQ  
Leader Size  
2
Drain  
TO-251  
2.5K  
13’ inch  
1
Gate  
3
Source  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
100  
V
V
VGS  
±20  
TC=25°C  
TC=70°C  
15  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current 1  
Power Dissipation  
ID  
IDM  
13.8  
24  
A
A
TC=25°C  
TA=25°C  
34.7  
2
W
W
°C  
PD  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 ~ 150  
Thermal Resistance Ratings  
Maximum Thermal Resistance Junction-Ambient (PCB  
RθJA  
RθJC  
62.5  
3.6  
°C / W  
°C / W  
mount) 3  
Maximum Thermal Resistance Junction-Case3  
http://www.SeCoSGmbH.com/  
Any changes of specification will not be informed individually.  
22-Apr-2013 Rev. A  
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