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SICW1000N170A

更新时间： 2023-12-06 20:03:09

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美微科 - MCC		/
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6页	909K
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SICW1000N170A 数据手册

SICW1000N170A

Electrical Characteristics @ 25°C (Unless Otherwise Specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Static Characteristics

V_(BR)DSSV_GS=0V, I_D=250uA

Drain-Source Breakdown Voltage

Gate-Source Leakage Current

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Threshold Voltage

1700

µA

I_GSS

I_DSS

V_DS=0V, V_GS=±20V

V_DS=1700V, V_GS=0V

V_DS=10V, I_D=1mA

V_GS=20V, I_D=1.5A

±250

V_GS(th)

2.5

4.5

1100

1320

1370

1480

mΩ

V_GS=18V, I_D=1.5A

1140

1230

1690

mΩ

Drain-Source On-Resistance

R_DS(on)

V_GS=15V, I_D=1.5A

V_GS=20V, I_D=1.5A,T_C=150^oC

Diode Characteristics

I_S

Continuous Body Diode Current

V_SD

t_rr

V_GS=-3V, I_S=1.5A

Diode Forward Voltage

Reverse Recovery Time

5.5

7.5

V_GS=-3/20V, I_SD=3A,

dI_F/dt=300A/μs

Q_rr

Reverse Recovery Charge

Peak Reverse Recovery Current

I_rrm

Dynamic Characteristics

C_iss

C_oss

C_rss

Input Capacitance

124

4.5

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

Internal Gate Resistance

Total Gate Charge

V_DS=1000V,V_GS=0V,f=1MHz

R_g

Q_g

15.5

2.5

V_DS=1000V,V_GS=-3/+20V

I_D=3A

Q_gs

Q_gd

t_d(on)

t_r

Gate-Source Charge

Gate-Drain Charge

Turn-On Delay Time

Turn-On Rise Time

Turn-Off Delay Time

Turn-Off Fall Time

V_DS=800V, V_GS=-3/+20V,

R_G=25Ω, I_DS=3A

t_d(off)

t_f

Rev.3-1-10082022

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