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SICW028N120A4

更新时间： 2024-04-09 19:00:41

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美微科 - MCC		/
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SICW028N120A4 数据手册

SICW028N120A4

Curve Characteristics

Fig. 13 - Capacitance Characteristics

Fig. 14 - Capacitance Characteristics

10000

1000

100

10000

1000

100

C_iss

C_oss

C_rss

T_j=25°C

V_AC=25mV

f=1MHz

T_j=25°C

V_AC=25mV

f=1MHz

100

120

140

160

180

200

400

600

800

1000

Drain to Source Voltage (V)

Fig. 16 - Normalized Transient Thermal Impedance

Fig. 15 - Drain Current Derating vs Case Temperature

100

In descending order

D=0.5, 0.2, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulse

0.1

Single pulse

0.01

D=T_on/T

T_J,PK=T_C+P_DMꞏZ_θJCꞏR_θJC

R_θJC=0.4°C/W

1E-3

100

125

150

175

1E-6

1E-5

1E-4

1E-3

0.01

0.1

Pulse Width (s)

Case Temperature (°C)

Fig. 17 - Safe Operation Area

Fig. 18 - Power Derating

450

1000

100

400

350

300

250

200

150

100

R_DS(on)Limited

1us

10us

100us

1ms

10ms

T_J(max)=175°C

T_C=25°C

100ms

Single Pulse

0.1

100

1000

5000

100

125

150

175

Drain to Source Voltage (V)

Case Temperature (°C)

Rev.4-1-09152023

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