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SICW028N120A4

更新时间: 2024-04-09 19:00:41
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美微科 - MCC /
页数 文件大小 规格书
6页 1992K
描述
Bulk: 360pcs/Box;

SICW028N120A4 数据手册

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SICW028N120A4  
Curve Characteristics  
Fig. 7 - Normalized On-Resistance vs Temperature  
Fig. 8 - Body Diode Characteristic  
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
2.4  
2.0  
1.6  
1.2  
0.8  
0.4  
0.0  
VGS=18V  
ID=40A  
Tj=25°C  
VGS=-5V, -3V  
VGS=0V  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
-6  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
Source Drain Voltage (V)  
Junction Temperature (°C)  
Fig. 10 - Output capacitor stored energy  
Fig. 9 - Body Diode Characteristic  
120  
100  
80  
60  
40  
20  
0
0
-10  
-20  
-30  
-40  
-50  
-60  
Tj=175°C  
VGS=-5V, -3V  
VGS=0V  
0
200  
400  
600  
800  
1000  
-6  
-5  
-4  
-3  
-2  
-1  
0
Drain to Source Voltage (V)  
Drain Source Voltage (V)  
Fig. 12 - Typical Gate Charge  
Fig. 11 - Threshold Voltage vs Temperature  
18  
15  
12  
9
3.0  
VDS=800V  
ID=40A  
VGS=VDS  
ID=15mA  
2.5  
2.0  
1.5  
1.0  
0.5  
0.0  
VGS=-3/+18V  
Tj=25°C  
6
3
0
-3  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
175  
0
30  
60  
90  
120  
150  
180  
Gate Charge(nC)  
Junction Temperature (°C)  
Rev.4-1-09152023  
4/6  
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