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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.69 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 80 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13.6 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SH8K4TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SH8K5 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Nch MOSFET |
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| SH8K5_09 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Nch MOSFET |
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| SH8K52GZETB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SH8K5TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SH8KA1 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA1是低导通电阻的功率晶体管。适合开关及电机驱动用途。 |
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| SH8KA2 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA2是适用于开关和电机驱动用途的小型表面安装封装的MOSFET。 |
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| SH8KA4 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA4是适用于开关和电机驱动用途的中功率MOSFET。 |
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| SH8KA7 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA7是小型表面贴装封装的低导通电阻MOSFET，适合电机驱动用途。 |
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| SH8KB6 | ROHM |
获取价格 |
SH8KB6是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
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