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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6 A | 最大漏源导通电阻： | 0.049 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 24 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SH8M14 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch + Pch MOSFET |
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| SH8M14GZETB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SH8M14TB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SH8M16GAETCEBAA01 | ETC |
获取价格 |
eâ¢MMCTM Product Family |
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| SH8M16GAETCEBAE01 | ETC |
获取价格 |
eâ¢MMCTM Product Family |
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| SH8M16GAETCEBAI01 | ETC |
获取价格 |
eâ¢MMCTM Product Family |
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| SH8M16GCATCEBAA01 | ETC |
获取价格 |
eâ¢MMCTM Product Family |
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| SH8M16GCATCEBAI01 | ETC |
获取价格 |
eâ¢MMCTM Product Family |
|
| SH8M2 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Pch MOSFET |
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| SH8M2_09 | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Nch+Pch MOSFET |
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