5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 1.69 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 6.5 mJ | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 12 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SH8K5TB | ROHM |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.15ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SH8KA1 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA1是低导通电阻的功率晶体管。适合开关及电机驱动用途。 |
|
| SH8KA2 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA2是适用于开关和电机驱动用途的小型表面安装封装的MOSFET。 |
|
| SH8KA4 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA4是适用于开关和电机驱动用途的中功率MOSFET。 |
|
| SH8KA7 | ROHM |
获取价格 |
SH8KA7是小型表面贴装封装的低导通电阻MOSFET，适合电机驱动用途。 |
|
| SH8KB6 | ROHM |
获取价格 |
SH8KB6是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
|
| SH8KB7 | ROHM |
获取价格 |
SH8KB7是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
|
| SH8KC6 | ROHM |
获取价格 |
SH8KC6是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
|
| SH8KC7 | ROHM |
获取价格 |
SH8KC7是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
|
| SH8KE6 | ROHM |
获取价格 |
SH8KE6是一款非常适用于开关应用的低导通电阻MOSFET。该产品在一个小型SOP8封装 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
