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SH8K5

更新时间： 2024-11-21 06:11:31

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罗姆 - ROHM		驱动
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描述
4V Drive Nch+Nch MOSFET

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SH8K5 数据手册

4V Drive Nch+Nch MOSFET

SH8K5

Structure

Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

SOP8

Features

1) Low on-resistance.

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small surface Mount Package (SOP8).

Application

Power switching, DC / DC converter.

Each lead has same dimensions

Packaging specifications

Inner circuit

(8)

(7)

(6)

(5) (8) (7) (6) (5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500

SH8K5

∗2

(1) (2) (3) (4)

(1) Tr1 Source

(2) Tr1 Gate

(3) Tr2 Source

(4) Tr2 Gate

∗1

Absolute maximum ratings (Ta=25C)

(5) Tr2 Drain

(4)

(1)

(2)

(3)

(6) Tr2 Drain

(7) Tr1 Drain

(8) Tr1 Drain

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

∗A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

Continuous

Pulsed

3.5

Drain current

∗1

I_DP

Source current

(Body diode)

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

6.4

∗1

∗2

I_SP

Total power dissipation

Channel temperature

P_D

°C

Tch

Tstg

150

−55 to +150

Storage temperature

∗1 Pw 10μs, Duty cycle 1%

∗2 MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^∗

Limits

62.5

Unit

Channel to ambient

∗MOUNTED ON A CERAMIC BOARD.

°C / W

www.rohm.com

2009.12 - Rev.A

1/3

12 3 4

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