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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-254Z |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 1000 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | S-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF10N100ZDB | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF10N100ZDBS | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF10N100ZDBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF10N100ZDBTXV | SSDI |
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| SFF10N100ZS | SSDI |
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| SFF10N100ZTX | SSDI |
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| SFF10N100ZTXV | SSDI |
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| SFF10N100ZUB | SSDI |
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| SFF10N100ZUBS | SSDI |
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| SFF10N100ZUBTX | SSDI |
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