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SFF110S.22

更新时间： 2024-02-01 08:13:39

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SSDI		晶体晶体管
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2页	34K
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3.5 A /100 Volts / 0.6 ヘ N-Channel MOSFET Transistor

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SFF110S.22 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.5 A
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.61 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CBCC-N3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	16.5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

SFF110S.22 数据手册

SFF110S.22

Solid State Devices, Inc.

14830 Valley View Blvd * La Mirada, CA 90638

Phone: (562) 404-7855 * Fax: (562) 404-1773

ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com

3.5 A /100 Volts / 0.6 W

DESIGNER’S DATA SHEET

N-Channel MOSFET Transistor

Features:

· Rugged Construction with Polysilcon Gate

· Small Footprint Hermetic Surface Mount Device with

Excellent Thermal Properties

· Replacement/Enhancement for 2N6782

· TX, TXV, S-Level Screening Available

· Very Fast Switching Characteristics

SMD.22

Maximum Ratings

Symbol

Value

Units

100

Drain – Source Voltage

Drain – Gate Voltage

Gate – Source Voltage

V_DS

V_DG

V_GS

Volts

+/-20

3.5

2.25

@ T_C= 25ºC

@ T_C= 100ºC

I_D1

I_D2

Continuous Drain Current

Amps

Note 1

Note 2

16.5

0.8

Power Dissipation @ T_C= 25ºC

Power Dissipation @ T_A= 25ºC

P_D

ºC

-55 to +150

Operating & Storage Temperature

Top & Tstg

Maximum Thermal Resistance

Junction to Case and to Ambient

R_qJC

R_qJA

7.5 (typ 5)

156.5

ºC/W

Note1: Derated 60.6 mW/°C above T_C= 25°C

Note2: Derated 6.4 mW/°C above T_A= 25°C

PIN 1= COLLECTOR; PIN 2= EMITTER; PIN 3= BASE

.220±.007

.065±.010

.150

±.007

.134 .030

.052

.140

.070

.090

.005 TYP

NOTE: All specifications are subject to change without notification.

SCD's for these devices should be reviewed by SSDI prior to release.

DOC

DATA SHEET #: FT0015A

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SFF116N10MDBS	SSDI	获取价格	暂无描述
SFF116N10MDBTX	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
SFF116N10MDBTXV	SSDI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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