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| 生命周期： | Active | 包装说明： | CHIP CARRIER, R-CBCC-N3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 800 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 11 A | 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-CBCC-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | CHIP CARRIER |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | BOTTOM | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF11N80MDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF11N80MDBS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF11N80MDBTXV | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF11N80MS | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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| SFF11N80MTX | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF11N80MTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SFF11N80MUBTX | SSDI |
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暂无描述 |
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| SFF11N80MUBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| SFF11N80N | SSDI |
获取价格 |
11 AMP / 800 Volts 0.95 ohm N-Channel Power MOSFET |
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| SFF11N80P | SSDI |
获取价格 |
11 AMP / 800 Volts 0.95 ohm N-Channel Power MOSFET |
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