5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.95 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-259 | JESD-30 代码： | R-MSFM-P3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | PIN/PEG |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF11N80ZDB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF11N80ZDBS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZDBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZDBTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZS | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZTXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF11N80ZUB | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 800V, 0.95ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF11N80ZUBTX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| SFF120 | SSDI |
获取价格 |
Transistor |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
