生命周期: | Active | 零件包装代码: | TO-254Z |
包装说明: | FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.64 |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 800 V | 最大漏极电流 (ID): | 11 A |
最大漏源导通电阻: | 0.95 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | S-MSFM-P3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | SQUARE |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | PIN/PEG | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SFF11N80ZUBTX | SSDI |
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Power Field-Effect Transistor |
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SFF120 | SSDI |
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Transistor |
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SFF120/91305 | SSDI |
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Transistor |
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SFF120/9130N5GZ | SSDI |
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Transistor |
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SFF120-28 | SSDI |
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Transistor |
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SFF120-28Q | SSDI |
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9.2 AMPS 100 VOLTS 0.35S QUAD N-CHANNEL POWER MOSFET |
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SFF120AAGZ | SSDI |
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Transistor |
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SFF120C | SSDI |
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Transistor |
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SFF120CGZ | SSDI |
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Transistor |
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SFF120J | SSDI |
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Transistor |
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