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| 生命周期： | Active | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 14 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.21 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-59 | JESD-30 代码： | O-MUPM-D3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SFF130/5S | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SFF130/5TX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SFF130/66 | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF130/66TX | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SFF130/66TXV | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SFF130-28 | SSDI |
获取价格 |
14 AMP / 100 Volts 0.16OHM N-Channel POWER MOSFET |
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| SFF130-3 | SSDI |
获取价格 |
14 AMP 100 VOLTS 0.16ohm N-Channel Power MOSFET |
|
| SFF130-3_1 | SSDI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET |
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| SFF1305 | SSDI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 100V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SFF130-5 | SSDI |
获取价格 |
8 AMP / 100 Volts 0.18OHM N-Channel POWER MOSFET |
|
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